Naukowcy z Uniwersytetu Illinois opracowali najszybszy na świecie tranzystor, pracujący z częstotliwością 509GHz.
Nowy tranzystor jest o 57GHz szybszy niż poprzedni rekordzista, opracowany także na tym uniwersytecie. Urządzenie znajdzie zastosowanie w sprzęcie służącym do bardzo szybkiej transmisji danych, elektronice konsumenckiej i systemach wojskowych.
"Wzrost szybkości tranzystorów bipolarnych udało się osiągnąć w dużej mierze dzięki pionowemu skalowaniu struktury warstwy epitaksjalnej, co umożliwiło skrócenie czasu przelotu nośników” – powiedział Milton Feng, profesor Uniwersytetu Illinois, który był szefem zespołu pracującego od 1995r. nad stworzeniem super szybkich tranzystorów. Feng oraz absolwenci uczelni Walid Hafez i Jie-Wei Lai wyprodukowali rekordowo szybki tranzystor w uczelnianym laboratorium Micro and Nanotechnology Laboratory.
W odróżnieniu od tradycyjnych tranzystorów, które są produkowane z krzemu i germanu, nowe urządzenie jest zrobione z fosforku indu oraz arsenku indu i arsenku galu. „Te materiały są naturalnie szybsze niż germanek krzemu, a dzięki temu mogą być bardziej upakowane. Z kolei mniejsze wymiary tranzystora pozwalają na szybsze ładowanie i rozładowanie tranzystora, co prowadzi do zwiększenia szybkości jego działania” – wyjaśnił Feng. Naukowiec zapowiada stworzenie tranzystora terahercowego.
Szybsze tranzystory pozwolą na stworzenie jeszcze wydajniejszych komputerów, bardziej elastycznych systemów komunikacji bezprzewodowej oraz szybszych konwerterów analog-cyfra stosowanych w radarach i wojskowych systemach obronnych.
Nowy tranzystor jest o 57GHz szybszy niż poprzedni rekordzista, opracowany także na tym uniwersytecie. Urządzenie znajdzie zastosowanie w sprzęcie służącym do bardzo szybkiej transmisji danych, elektronice konsumenckiej i systemach wojskowych.
"Wzrost szybkości tranzystorów bipolarnych udało się osiągnąć w dużej mierze dzięki pionowemu skalowaniu struktury warstwy epitaksjalnej, co umożliwiło skrócenie czasu przelotu nośników” – powiedział Milton Feng, profesor Uniwersytetu Illinois, który był szefem zespołu pracującego od 1995r. nad stworzeniem super szybkich tranzystorów. Feng oraz absolwenci uczelni Walid Hafez i Jie-Wei Lai wyprodukowali rekordowo szybki tranzystor w uczelnianym laboratorium Micro and Nanotechnology Laboratory.
W odróżnieniu od tradycyjnych tranzystorów, które są produkowane z krzemu i germanu, nowe urządzenie jest zrobione z fosforku indu oraz arsenku indu i arsenku galu. „Te materiały są naturalnie szybsze niż germanek krzemu, a dzięki temu mogą być bardziej upakowane. Z kolei mniejsze wymiary tranzystora pozwalają na szybsze ładowanie i rozładowanie tranzystora, co prowadzi do zwiększenia szybkości jego działania” – wyjaśnił Feng. Naukowiec zapowiada stworzenie tranzystora terahercowego.
Szybsze tranzystory pozwolą na stworzenie jeszcze wydajniejszych komputerów, bardziej elastycznych systemów komunikacji bezprzewodowej oraz szybszych konwerterów analog-cyfra stosowanych w radarach i wojskowych systemach obronnych.