Wynikiem współpracy firm Toshiba i Infineon jest opracowanie nowych, 32-Mbitowych pamięci FeRAM, które już wkrótce mogą zastąpić pamięci Flash.
Produkty wytwarzane w obu technologiach oferują niezawodną pamięć, przechowującą dane także po odłączeniu zasilania. Jedną z zalet FeRAMu jest jednak większa prędkość pracy. Pamięci Toshiby i Infineona posiadają czas dostępu rzędu 50 nanosekund i czas cyklu - 75 nanosekund. Wartości te w porównaniu do parametrów czasowych kości SDRAM nie robią wrażenia, ale są znacznie mniejsze niż w przypadku pamięci Flash, w których wynik 200 mikrosekund uznawany jest za dobry.
Drugą zaletą, o której poinformowali współtwórcy pamięci FeRAM, jest mniejsze zużycie energii. Oszczędność wynika z faktu, że FeRAM nie wymaga dodatkowego źródła energii do zapisania nowych danych, co ma miejsce w przypadku pamięci Flash. Mała energochłonność to cecha czyniąca FeRAM idealnym rozwiązaniem dla urządzeń przenośnych.
Produkty wytwarzane w obu technologiach oferują niezawodną pamięć, przechowującą dane także po odłączeniu zasilania. Jedną z zalet FeRAMu jest jednak większa prędkość pracy. Pamięci Toshiby i Infineona posiadają czas dostępu rzędu 50 nanosekund i czas cyklu - 75 nanosekund. Wartości te w porównaniu do parametrów czasowych kości SDRAM nie robią wrażenia, ale są znacznie mniejsze niż w przypadku pamięci Flash, w których wynik 200 mikrosekund uznawany jest za dobry.
Drugą zaletą, o której poinformowali współtwórcy pamięci FeRAM, jest mniejsze zużycie energii. Oszczędność wynika z faktu, że FeRAM nie wymaga dodatkowego źródła energii do zapisania nowych danych, co ma miejsce w przypadku pamięci Flash. Mała energochłonność to cecha czyniąca FeRAM idealnym rozwiązaniem dla urządzeń przenośnych.